MOS產品應用建議
一、BVDSS的選擇：
在選定器件的耐壓時，對于電路運行條件的電源電壓VDD以及開關斷開時產生的浪涌電壓，在設計時需要留有一定余量，不能超過BVDSS。另外BVDSS具有正溫度特性，所以必須考慮使用的最低溫度環境條件。如果選取余量很小，近乎極限應用，且應用環境溫度又很低，則會發生失效。
二、驅動電壓建議：
功率MOSFET柵極驅動電壓可通過柵極氧化層的調整來改變，柵極氧化層越薄則VTH越低，VTH具有負溫度特性，約為-5mV/℃，即溫度上升100℃，VTH降低0.5V。對于開關應用的MOSFET來講，VTH值在2-5V之間，電路應用中應將VGS電壓設定在10V-12V之間，這樣可以使得MOSFET完全開通處于飽和狀態，如果VGS電壓過于臨界接近VTH值，則可能由于溫度影響導致VTH變化而使得MOSFET不能開啟或者出于放大狀態。如右圖所示：由于VGS驅動電壓過低，
VDS波形
ID波形
導致了MOS進入放大狀態，這時會出現DS高電壓，ID大電流的情況，極易燒毀晶體管。所以在電路設計時要注意各種異常狀態下的GS驅動電壓不要過低。不過GS驅動電壓也不是越高越好，10V左右驅動電壓最佳，即使再增加驅動電壓也只不過是增加驅動功耗而已，對MOSFET工作并無益處。
 
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
VDS波形
ID波形
 
VDS波形
ID波形
 
 
 
 
 
三、驅動電路的設計：
在應用中使MOSFET驅動電路與MOSFET匹配主要是根據功率MOSFET導通和截止的速度快慢（柵極電壓的上升和下降時間）。任何應用中對上升和下降時間的優化取決于很多因素，例如EMI（傳導和輻射）、開關損耗、引腳/電路的感抗以及開關頻率等，對開關時間的優化會對前面幾項因素產生一定影響，例如開關速度的提高會加重EMI干擾，但是會降低開關損耗，如果是自激振蕩電路又會對開關頻率產生一定影響等。MOSFET導通和截止的速度
與MOSFET柵極電容的充電和放電速度有關。MOSFET柵極電容、導通和截止時間、驅動電流的關系可以表示為： dT=(dV*C)/I   而 Q=C*V    則 dT=Q/I
其中：dT= 導通/截止時間
      dV= 柵極電壓
      C= 柵極電容
      I= 峰值驅動電流
例如：某一MOSFET產品
        柵極電荷=20nC（Q）
        柵極電壓=12V (dV)
        導通/截止時間=40ns (dT)
則驅動電流計算為
      dT=Q/I
      I=Q/Dt=20nC/40nS=0.5A
要注意的是這個是峰值電流。
通常柵極驅動電路會加一個限流電阻，一方面對充電電流加以限制，另外通過對電阻的調整可以改變柵極電壓的上升時間，改善EMI噪聲，但是此電阻不宜過大，建議在100歐姆以下，否則對開關損耗影響較大。
如果柵極驅動電路與柵極的連接走線較長，則會有一定電感存在易產生振蕩，如果振蕩電壓超過柵極所能承受的電壓，則會燒毀柵極，所以需要在柵源之間加齊納二極管，防止柵極擊穿。
柵極驅動可以反向并聯一個二極管，這樣可以加快柵極電容的反向放電速度，提高MOSFET的關斷速度，降低開關損耗，但是考慮到
EMI噪聲的影響也需要對放電電流加以一定限制，可用
R1來限制和調整放電電流的大小。加速柵極電容放電速
度，對于高頻應用的電路來講可以大幅降低關斷損耗，
對整機效率會產生較大影響。